Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
ASTM - Společnost ASTM International je jednou z největších nezávislých organizací pro rozvoj norem ve světě - spolehlivý zdroj technických norem pro materiály, výrobky, systémy a služby. Normy společnosti ASTM International jsou známé svojí vysokou technickou kvalitou a aktuálností v rámci trhu, a proto hrají důležitou roli v informační infrastruktuře, která řídí projekci, výrobu a obchod v globální ekonomice. ASTM vydává normy zabývající se kovy, hořlavostí, chemickými výrobky, mazivy, fosilními palivy, textiliemi, barvami, pryží, potrubím, forenzními vědami, elektronikou, energetikou, lékařskými přístroji a bezpočtem dalších témat.
Standard Specification for Design and Installation of Overboard Discharge Hull Penetration Connections
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.3.2018
Vybraný formát:Standard Practice for Estimating Toner Usage in Copiers Utilizing Dry Two-Component Developer (Withdrawn 2017)
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.10.2009
Vybraný formát:Standard Practice for Estimating Toner Usage in Copiers Utilizing Dry Two-Component Developer
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.7.1997
Vybraný formát:Standard Practice for Estimating Toner Usage in Copiers Utilizing Dry Two-Component Developer
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.7.1997
Vybraný formát:Standard Practice for Estimating Toner Usage in Copiers Utilizing Dry Two-Component Developer (Includes all amendments And changes 8/16/2017).
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.7.1997
Vybraný formát:Standard Practice for Estimating Toner Usage in Copiers Utilizing Dry Two-Component Developer
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.6.2006
Vybraný formát:Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.5.2010
Vybraný formát:Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.2011
Vybraný formát:Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics (Withdrawn 2023)
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.3.2018
Vybraný formát:Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.5.1998
Vybraný formát:Zobrazený záznam od 89800 až 89810 z celkom 90937 záznamov.
Posledná aktualizácia: 2026-03-12 (Počet položiek: 2 266 211)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.