ASTM F996-98

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

Automaticky preložený názov:

Štandardná skúšobná metóda pre separáciu s ionizujúceho žiarenia vyvolanej MOSFET Threshold Voltage Shift na zložky kvôli oxidu Trapped otvory a rozhranie štátmi pomocou subthreshold prúd - napätie Charakteristika



NORMA vydaná dňa 10.5.1998


Jazyk
Prevedenie
DostupnosťSKLADOM
Cena79.90 bez DPH
79.90

Informácie o norme:

Označenie normy: ASTM F996-98
Poznámka: NEPLATNÁ
Dátum vydania normy: 10.5.1998
Kód tovaru: NS-57212
Počet strán: 6
Približná hmotnosť: 18 g (0.04 libier)
Krajina: Americká technická norma
Kategória: Technické normy ASTM

Anotácia textu normy ASTM F996-98 :

Keywords:

Current measurement-semiconductors, Electrical conductors-semiconductors, Gate and field oxides, Ionizing radiation, MOSFETs, Radiation exposure-electronic components/devices, Silicon-semiconductor applications, Threshold voltage, separating a total-dose induced mosfet threshold voltage shift into, ICS Number Code 31.080.30 (Transistors)

Odporúčame:

Aktualizácia technických noriem

Chcete mať istotu, že používate len platné technické normy?
Ponúkame Vám riešenie, ktoré Vám zaistí mesačný prehľad o aktuálnosti noriem, ktoré používate.

Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.




Cookies Cookies

Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.

Súhlas môžete odmietnuť tu.

Tu máte možnosť prispôsobiť si nastavenia súborov cookies v súlade s vlastnými preferenciami.

Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov.