ASTM F996-11

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

Automaticky preložený názov:

Štandardná skúšobná metóda pre separáciu ionizujúceho žiarenia vyvolanej MOSFET Threshold Voltage Shift na zložky kvôli oxidu Trapped dier a rozhrania štátmi za použitia podprahovou prúd, napätie dovolenky



NORMA vydaná dňa 1.1.2011


Jazyk
Prevedenie
DostupnosťSKLADOM
Cena70.00 bez DPH
70.00

Informácie o norme:

Označenie normy: ASTM F996-11
Poznámka: NEPLATNÁ
Dátum vydania normy: 1.1.2011
Kód tovaru: NS-57210
Počet strán: 7
Približná hmotnosť: 21 g (0.05 libier)
Krajina: Americká technická norma
Kategória: Technické normy ASTM

Kategórie - podobné normy:

Tranzistory

Anotácia textu normy ASTM F996-11 :

Keywords:
c/v characteristics, current-voltage characteristics, interface states, ionizing radiation, MOSFET, oxide-trapped holes, threshold voltage shift, trapped holes, Current measurement--semiconductors, Electrical conductors (semiconductors), Gate and field oxides, Ionizing radiation, MOSFETs, Radiation exposure--electronic components/devices, Silicon semiconductors, Threshold voltage, ICS Number Code 31.080.30 (Transistors)

Odporúčame:

Aktualizácia technických noriem

Chcete mať istotu, že používate len platné technické normy?
Ponúkame Vám riešenie, ktoré Vám zaistí mesačný prehľad o aktuálnosti noriem, ktoré používate.

Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.




Cookies Cookies

Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.

Súhlas môžete odmietnuť tu.

Tu máte možnosť prispôsobiť si nastavenia súborov cookies v súlade s vlastnými preferenciami.

Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov.