Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Normy GB - Čínské národní normy - strana 6220
Normy GB jsou čínské národní normy, které vydává Čínský standardizační správní úřad (SAC).
Pod obvyklým názvem normy GB se čínské národní normy využívají po celé Číně a uvádějí sjednocené výrobní požadavky na bezpečnost a kvalitu produktů.
Normy GB jsou často upraveny či přímo vytvářeny podle mezinárodních norem ISO, IEC či na jiné mezinárodní úrovni. I když jsou ve velké míře harmonizovány, normy GB se od mezinárodních norem mohou odlišovat.
Přibližně 15% všech norem GB je závazných a lze je rozpoznat pomocí předpony GB, po které následuje kód normy:
GB - Závazné národní normy
GB/T - Dobrovolné národní normy
GB/Z - Národní řídící technický dokument
Zobrazenie ceny: bez DPH
Zobrazovaná mena:
€
Zoradiť podľa:
GB/T 14140-2009
NEPLATNÁ
Zobraziť všetky technické informácie
Test method for measuring diameter of semiconductor wafer
NEPLATNÁ vydaná dňa 30.10.2009
Vybraný formát:Zobraziť všetky technické informácie
GB/T 14140.1-1993
NEPLATNÁ
Zobraziť všetky technické informácie
Silicon slices and wafers—Measuring of diameter—Optical projecting method
NEPLATNÁ vydaná dňa 6.2.1993
Vybraný formát:Zobraziť všetky technické informácie
GB/T 14140.2-1993
NEPLATNÁ
Zobraziť všetky technické informácie
Silicon slices and wafers—Measuring of diameter—Micrometer method
NEPLATNÁ vydaná dňa 6.2.1993
Vybraný formát:Zobraziť všetky technické informácie
GB/T 14141-1993
NEPLATNÁ
Zobraziť všetky technické informácie
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
NEPLATNÁ vydaná dňa 6.2.1993
Vybraný formát:Zobraziť všetky technické informácie
GB/T 14142-1993
NEPLATNÁ
Zobraziť všetky technické informácie
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques
NEPLATNÁ vydaná dňa 6.2.1993
Vybraný formát:Zobraziť všetky technické informácie
GB/T 14143-1993
NEPLATNÁ
Zobraziť všetky technické informácie
300900m Silicon slices—Measuring of interstitial oxygen content—Infrared absorption method
NEPLATNÁ vydaná dňa 6.2.1993
Vybraný formát:Zobraziť všetky technické informácie
GB/T 14144-1993
NEPLATNÁ
Zobraziť všetky technické informácie
Test method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
NEPLATNÁ vydaná dňa 6.2.1993
Vybraný formát:Zobraziť všetky technické informácie
GB/T 14145-1993
NEPLATNÁ
Zobraziť všetky technické informácie
Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference-contrast microscopy
NEPLATNÁ vydaná dňa 6.2.1993
Vybraný formát:Zobraziť všetky technické informácie
GB/T 14146-1993
NEPLATNÁ
Zobraziť všetky technické informácie
Silicon epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe Valtage-capacitance method
NEPLATNÁ vydaná dňa 6.2.1993
Vybraný formát:Zobraziť všetky technické informácie
GB/T 14146-2009
NEPLATNÁ
Zobraziť všetky technické informácie
Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
NEPLATNÁ vydaná dňa 30.10.2009
Vybraný formát:Zobraziť všetky technické informácie
Zobrazený záznam od 62190 až 62200 z celkom 94224 záznamov.
Potrebujete pomoc?
