IEC - Mezinárodní elektrotechnická organizace - strana 386

Normy IEC - Mezinárodní elektrotechnická organizace - strana 386

IEC - Společnost IEC je přední světová organizace, která vytváří a vydává Mezinárodní normy pro veškeré elektrické, elektronické a další související technologie, které se souhrnně nazývají "elektrotechnologie". Všude tam, kde se nachází elektřina a elektronika, najdete i společnost IEC, která prosazuje bezpečnost a výkon, životní prostředí, účinnost elektřiny a obnovitelné energie. Společnost IEC také spravuje systémy pro posuzování shody, které prokazují, že zařízení, systémy či komponenty vyhovují Mezinárodním normám této společnosti.

Zobrazenie ceny: bez DPH
Zobrazovaná mena:
Zoradiť podľa:

Upresniť výber pre "Normy IEC - strana 386" podľa:    


IEC 60747-5-9-ed.1.0

Semiconductor devices - Part 5-9: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the internal quantum efficiency based on the temperature-dependent electroluminescence

Norma vydaná dňa 11.12.2019

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
146.30


SKLADOM
IEC 60747-6-ed.4.0

Semiconductor devices - Part 6: Discrete devices - Thyristors

Norma vydaná dňa 30.9.2025

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
547.00


SKLADOM
IEC 60747-7-ed.3.0

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
(Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires)

Norma vydaná dňa 16.12.2010

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
515.20


SKLADOM
IEC 60747-7-ed.3.0/Amd.1 Zmena

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
(Amendement 1 - Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires)

Zmena vydaná dňa 23.9.2019

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
12.70


SKLADOM
IEC 60747-7-ed.3.1+Amd.1-CSV

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
(Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires)

Norma vydaná dňa 23.9.2019

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
903.20


SKLADOM
IEC 60747-8-ed.3.0

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
(Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs descrets - Partie 8: Transistors a effet de champ)

Norma vydaná dňa 15.12.2010

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
483.40


SKLADOM
IEC 60747-8-ed.3.0/Amd.1 Zmena

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

Zmena vydaná dňa 25.6.2021

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
50.90


SKLADOM
IEC 60747-8-ed.3.1+Amd.1-CSV

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

Norma vydaná dňa 25.6.2021

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
903.20


SKLADOM
IEC 60747-9-ed.3.0

Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
(Dispositifs a semiconducteurs - Partie 9: Dispositifs discrets - Transistors bipolaires a grille isolee (IGBT))

Norma vydaná dňa 13.11.2019

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
483.40


SKLADOM
IEC 60748-1-ed.2.0

Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 1: General
(Dispositifs a semiconducteurs - Circuits integres - Partie 1: Generalites)

Norma vydaná dňa 8.5.2002

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
267.10


SKLADOM

Zobrazený záznam od 3850 až 3860 z celkom 11596 záznamov.


Potrebujete pomoc?


Cookies Cookies

Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.

Súhlas môžete odmietnuť tu.

Tu máte možnosť prispôsobiť si nastavenia súborov cookies v súlade s vlastnými preferenciami.

Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov.