GOST 18604.7-74
Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
IEC 60747-7-ed.3.0
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
Automaticky preložený názov:
Polovodičové zariadenia - diskrétne zariadenia - Časť 7: Bipolárne tranzistory
NORMA vydaná dňa 16.12.2010
Informácie o norme:
Označenie normy: IEC 60747-7-ed.3.0
Dátum vydania normy: 16.12.2010
Kód tovaru: NS-411315
Počet strán: 209
Približná hmotnosť: 658 g (1.45 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
Kategórie - podobné normy:
Anotácia textu normy IEC 60747-7-ed.3.0 :
IEC 60747-7:2010 gives the requirements applicable to the following sub-categories of bipolar transistors excluding microwave transistors. - Small signal transistors (excluding switching and microwave applications); - Linear power transistors (excluding switching, high-frequency, and microwave applications); - High-frequency power transistors for amplifier and oscillator applications; - Switching transistors for high speed switching and power switching applications; - Resistor biased transistors. The main changes with respect to previous edition are listed below. a) Clause 1 was amended by adding an item that should be included. b) Clauses 3, 4, 5, 6 and 7 were amended by adding terms, definitions, suitable additions and deletions those should be included. c) The text of the second edition was combined with that of IEC 60747-7-5. This publication is to be read in conjunction with IEC 60747-1:2006. La CEI 60747-7:2010 donne les exigences applicables aux sous-categories suivantes de transistors bipolaires, a lexclusion des transistors micro-ondes. - Transistors petits signaux (a lexclusion des applications en commutation et en micro-ondes); - Transistors de puissance lineaire (a lexclusion des applications en commutation, a haute frequence et en micro-ondes); - Transistors de puissance haute frequence pour applications en amplificateurs et en oscillateurs; - Transistors de commutation pour applications en commutation a grande vitesse et en commutation de puissance; - Transistors a resistances de polarisation. Les principaux changements par rapport a ledition precedente sont enumeres ci-dessous. a) Larticle 1 a ete amende par lajout dun element quil convient dinclure. b) Les articles 3, 4, 5, 6 et 7 ont ete amendes en ajoutant des termes et des definitions, ainsi que des ajouts et suppressions adaptes quil convient dinclure. c) Le texte de la deuxieme edition a ete combine a la CEI 60747-7-5. Cette publication doit etre lue conjointement avec la CEI 60747-1:2006.
K tejto norme patria tieto zmeny:
IEC 60747-7-ed.3.0/Amd.1
Zmena
Zobraziť všetky technické informácie
Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
(Amendement 1 - Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires)
Zmena vydaná dňa 23.9.2019
Vybraný formát:Zobraziť všetky technické informácie
Podobné normy:
1.1.1976
1.1.1976
1.1.1984
1.1.1975
1.7.1975
1.7.1984
Odporúčame:
Aktualizácia technických noriem
Chcete mať istotu, že používate len platné technické normy?
Ponúkame Vám riešenie, ktoré Vám zaistí mesačný prehľad o aktuálnosti noriem, ktoré používate.
Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.
