Zobrazenie ceny: bez DPH
Zobrazovaná mena:
Zoradiť podľa:

Upresniť výber pre "BS - Národné - Všetky - strana 7987" podľa:    


BS IEC 60747-5-4:2022-TC NEPLATNÁ

Tracked Changes. Semiconductor devices. Optoelectronic devices. Semiconductor lasers.

NEPLATNÁ vydaná dňa 31.10.2023

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
436.50


SKLADOM
BS EN 60747-5-5:2011+A1:2015 NEPLATNÁ

Semiconductor devices. Discrete devices. Optoelectronic devices. Photocouplers.
(Polovodičové součástky - Diskrétní součástky - Část 5-5: Optoelektronické součástky - Fotoelektrické vazební členy. )

NEPLATNÁ vydaná dňa 30.6.2015

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
368.00


SKLADOM
BS IEC 60747-6:2000 NEPLATNÁ

Discrete semiconductor devices and integrated circuits. Thyristors.

NEPLATNÁ vydaná dňa 15.6.2001

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
397.80


SKLADOM
BS IEC 60747-6:2016 NEPLATNÁ

Semiconductor devices. Discrete devices. Thyristors.

NEPLATNÁ vydaná dňa 30.4.2016

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
397.80


SKLADOM
BS IEC 60747-6:2016-TC NEPLATNÁ

Tracked Changes. Semiconductor devices. Discrete devices. Thyristors.

NEPLATNÁ vydaná dňa 27.2.2020

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
557.80


SKLADOM
BS IEC 60747-7-5:2005 NEPLATNÁ

Semiconductor devices. Discrete devices. Bipolar transistors for power switching applications.

NEPLATNÁ vydaná dňa 19.1.2006

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
265.10


SKLADOM
BS IEC 60747-7:2000 NEPLATNÁ

Discrete semiconductor devices and integrated circuits. Bipolar transistors.

NEPLATNÁ vydaná dňa 15.6.2001

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
397.80


SKLADOM
BS IEC 60747-8:2000 NEPLATNÁ

Discrete semiconductor devices and integrated circuits. Field-effect transistors. Additional ratings and characteristics and amds in the measuring methods for power switching field effect transistors..

NEPLATNÁ vydaná dňa 15.6.2001

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
397.80


SKLADOM
BS IEC 60747-9:1998 NEPLATNÁ

Semiconductor devices. Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).

NEPLATNÁ vydaná dňa 17.1.2003

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
397.80


SKLADOM
BS IEC 60747-9:2007 NEPLATNÁ

Semiconductor devices. Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).

NEPLATNÁ vydaná dňa 30.11.2007

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
368.00


SKLADOM

Zobrazený záznam od 79860 až 79870 z celkom 90576 záznamov.


Potrebujete pomoc?


Cookies Cookies

Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.

Súhlas môžete odmietnuť tu.

Tu máte možnosť prispôsobiť si nastavenia súborov cookies v súlade s vlastnými preferenciami.

Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov.