Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
ASTM - Společnost ASTM International je jednou z největších nezávislých organizací pro rozvoj norem ve světě - spolehlivý zdroj technických norem pro materiály, výrobky, systémy a služby. Normy společnosti ASTM International jsou známé svojí vysokou technickou kvalitou a aktuálností v rámci trhu, a proto hrají důležitou roli v informační infrastruktuře, která řídí projekci, výrobu a obchod v globální ekonomice. ASTM vydává normy zabývající se kovy, hořlavostí, chemickými výrobky, mazivy, fosilními palivy, textiliemi, barvami, pryží, potrubím, forenzními vědami, elektronikou, energetikou, lékařskými přístroji a bezpočtem dalších témat.
Standard Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniques (Includes all amendments And changes 3/2/2021).
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.1.2001
Vybraný formát:Standard Test Method for Hermeticity of Hybrid Microcircuit Packages Prior to Lidding (Includes all amendments And changes 3/2/2021).
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.5.1998
Vybraný formát:Standard Test Method for Hermeticity of Hybrid Microcircuit Packages Prior to Lidding (Withdrawn 2009)
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.5.1998
Vybraný formát:Recommended Practices for Determining Hermeticity of Electron Devices by a Bubble Test (Withdrawn 1990)
Vybraný formát:Recommended Practices for Determining Hermeticity of Electron Devices by a Bubble Test (Includes all amendments And changes 8/13/2021).
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1977
Vybraný formát:Recommended Practices for Determining Hermeticity of Electron Devices by a Bubble Test (Includes all amendments And changes 8/13/2021).
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1977
Vybraný formát:Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.6.1996
Vybraný formát:Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices (Includes all amendments And changes 2/2/2017).
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.12.2010
Vybraný formát:Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.12.2016
Vybraný formát:Guide for The Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1992
Vybraný formát:Zobrazený záznam od 89730 až 89740 z celkom 90937 záznamov.
Posledná aktualizácia: 2026-03-12 (Počet položiek: 2 266 211)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.