Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Guide for Measurement of Ionizing Dose-Rate Burnout of Semiconductor Devices
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.5.1998
Vybraný formát:Test Method for Quantifying Tungsten Silicide Semiconductor Process Films for Composition and Thickness
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.5.1998
Vybraný formát:Test Method for Quantifying Tungsten Silicide Semiconductor Process Films for Composition and Thickness
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.5.1998
Vybraný formát:Test Method for Quantifying Tungsten Silicide Semiconductor Process Films for Composition and Thickness (Withdrawn 2020)
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.6.2011
Vybraný formát:Practice for Submersion of a Membrane Switch
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.5.2010
Vybraný formát:Practice for Submersion of a Membrane Switch (Includes all amendments And changes 1/20/2014).
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.12.2010
Vybraný formát:Standard Test Method for Submersion of a Membrane Switch (Withdrawn 2023)
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.2014
Vybraný formát:Practice for Submersion of a Membrane Switch
NEPLATNÁ vydaná dňa 10.5.1998
Vybraný formát:Practice for Submersion of a Membrane Switch
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.5.2004
Vybraný formát:Test Method for Determining the Electrical Resistivity of a Printed Conductive Material
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.5.2010
Vybraný formát:Zobrazený záznam od 83170 až 83180 z celkom 92033 záznamov.
Posledná aktualizácia: 2026-07-29 (Počet položiek: 2 290 440)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.