Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Normy GB jsou čínské národní normy, které vydává Čínský standardizační správní úřad (SAC).
Pod obvyklým názvem normy GB se čínské národní normy využívají po celé Číně a uvádějí sjednocené výrobní požadavky na bezpečnost a kvalitu produktů.
Normy GB jsou často upraveny či přímo vytvářeny podle mezinárodních norem ISO, IEC či na jiné mezinárodní úrovni. I když jsou ve velké míře harmonizovány, normy GB se od mezinárodních norem mohou odlišovat.
Přibližně 15% všech norem GB je závazných a lze je rozpoznat pomocí předpony GB, po které následuje kód normy:
GB - Závazné národní normy
GB/T - Dobrovolné národní normy
GB/Z - Národní řídící technický dokument
Fire resistance tests for vault and file room doors
Norma vydaná dňa 30.10.2009
Vybraný formát:Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
Norma vydaná dňa 30.10.2009
Vybraný formát:Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry
Norma vydaná dňa 30.10.2009
Vybraný formát:Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
Norma vydaná dňa 30.10.2009
Vybraný formát:Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography
Norma vydaná dňa 30.10.2009
Vybraný formát:Test method for measuring surface metal contamination on semiconductor wafers —Total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
Norma vydaná dňa 24.7.2024
Vybraný formát:Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy
Norma vydaná dňa 30.10.2009
Vybraný formát:Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
Norma vydaná dňa 30.10.2009
Vybraný formát:Test method for and impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method
Norma vydaná dňa 9.3.2022
Vybraný formát:Test method for measuring surface metal impurity content of polycrystalline silicon—Acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method
Norma vydaná dňa 6.8.2023
Vybraný formát:Zobrazený záznam od 18380 až 18390 z celkom 94224 záznamov.
Posledná aktualizácia: 2026-08-26 (Počet položiek: 2 298 418)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.