Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
(Detailed specifications of electronic components. 3DD325 silicon NPN. Environmental rated low frequency amplifying transistor (for certification))
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Detail specification for electronic components--Ambie-nt-rated transistor for type 3DG1815 silicon NPN for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Detail specification for electronic component--Silicon single phase bridge rectifier type for QL 62
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Detail specification for electronic component--Silicon turing variable capacitance diodes for types 2CC22 and 2CC27
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Detail specification for electronic component--Silicon turing variable capacitance diodes for types 2cc23 and 2cc28
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Designations for LiNbO3 LiTaO3 Bi12GeO20Bi12SiO20 piezoelectric crystals
NEPLATNÁ vydaná dňa 28.6.1988
Vybraný formát:Zobrazený záznam od 90020 až 90030 z celkom 90914 záznamov.
Posledná aktualizácia: 2026-04-24 (Počet položiek: 2 274 650)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.