Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS103
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Detail specification for electronic components--Reverse blocking triode thyristorcase-rated for type 3CT320
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Detail specification for electronic components--Avalanche triode thyristor case-rated for type 3CT315
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:-
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1988
Vybraný formát:Barium flash getters
NEPLATNÁ vydaná dňa 17.6.1998
Vybraný formát:Generic rules for test method of getter properties
NEPLATNÁ vydaná dňa 25.6.1988
Vybraný formát:Test method for firmness of getter by pressure or sinter
NEPLATNÁ vydaná dňa 25.6.1988
Vybraný formát:Test method for weld strenght of getter support
NEPLATNÁ vydaná dňa 25.6.1988
Vybraný formát:Test method for barium yield of barium flash getter
NEPLATNÁ vydaná dňa 25.6.1988
Vybraný formát:Test method for barium content in getter fill and getter film of barium flash getter
NEPLATNÁ vydaná dňa 25.6.1988
Vybraný formát:Zobrazený záznam od 89990 až 90000 z celkom 90914 záznamov.
Posledná aktualizácia: 2026-04-24 (Počet položiek: 2 274 650)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.