Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
BSi - Společnost BSI British Standards je národním standardizačním úřadem Spojeného království (NSB) a jako taková byla i první na světě. Zastupuje ekonomické a společenské zájmy Spojeného království ve všech evropských a mezinárodních standardizačních organizacích i v rámci vývoje řešení podnikových informací pro britské organizace všech velikostí a oborů. Společnost BSI British Standards spolupracuje s výrobním průmyslem a průmyslem služeb, s podniky, s vládami i spotřebiteli tak, aby usnadnila tvorbu britských, evropských i mezinárodních norem. Součást organizace BSI Group, společnost BSI British Standards, úzce spolupracuje s vládou Spojeného královtsví, zejména skrze Oddělení pro inovace, univerzity a dovednosti (DIUS).
Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: high power transistors for switching applications.
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1982
Vybraný formát:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: switching transistors.
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1982
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 25 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.1.1979
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.1.1979
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.1.1979
Vybraný formát:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: transistors (general).
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1982
Vybraný formát:Zobrazený záznam od 88330 až 88340 z celkom 89062 záznamov.
Posledná aktualizácia: 2025-03-04 (Počet položiek: 2 231 424)
© Copyright 2025 NORMSERVIS s.r.o.