Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
BSi - Společnost BSI British Standards je národním standardizačním úřadem Spojeného království (NSB) a jako taková byla i první na světě. Zastupuje ekonomické a společenské zájmy Spojeného království ve všech evropských a mezinárodních standardizačních organizacích i v rámci vývoje řešení podnikových informací pro britské organizace všech velikostí a oborů. Společnost BSI British Standards spolupracuje s výrobním průmyslem a průmyslem služeb, s podniky, s vládami i spotřebiteli tak, aby usnadnila tvorbu britských, evropských i mezinárodních norem. Součást organizace BSI Group, společnost BSI British Standards, úzce spolupracuje s vládou Spojeného královtsví, zejména skrze Oddělení pro inovace, univerzity a dovednosti (DIUS).
Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Case-rated bipolar transistors for high-frequency amplifications.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.11.1991
Vybraný formát:Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100 A.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.2.1990
Vybraný formát:Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, up to 100 A.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.2.1990
Vybraný formát:Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Bidirectional triode thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A.
NEPLATNÁ vydaná dňa 31.1.1992
Vybraný formát:Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification. Semiconductor devices. Discrete devices. Field-effect transistors. Blank detail specification for single-gate field-effect transistors, up to 5 W and 1 GHz.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.12.1988
Vybraný formát:General criteria for the assessment of testing laboratories.
NEPLATNÁ vydaná dňa 31.10.1989
Vybraný formát:General criteria for laboratory accreditation bodies.
NEPLATNÁ vydaná dňa 31.10.1989
Vybraný formát:Hydraulic fluid power. Four-screw, one-piece square flange connections for use at pressures of 25 MPa and 40 MPa (250 bar and 400 bar).
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.3.1995
Vybraný formát:
Gas analysis. Vocabulary.
(Analýza plynů. Terminologie.)
NEPLATNÁ vydaná dňa 16.1.2002
Vybraný formát:Mechanical vibration. Methods and criteria for the mechanical balancing of flexible rotors.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.3.1995
Vybraný formát:Zobrazený záznam od 85670 až 85680 z celkom 89876 záznamov.
Posledná aktualizácia: 2026-04-06 (Počet položiek: 2 271 069)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.