Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Optics and optical instruments. Contact lenses. Determination of cytotoxicity of contact lens material. Agar overlay test and growth inhibition test.
(Optika a optické přístroje - Kontaktní čočky - Stanovení cytotoxicity materiálů kontaktních čoček - Část 1: Zkouška na agarové živné půdě a zkouška inhibice růstu.)
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.12.1999
Vybraný formát:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: high power transistors for switching applications.
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1982
Vybraný formát:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: switching transistors.
NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1982
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 25 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.1.1979
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.1.1979
Vybraný formát:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydaná dňa 15.1.1979
Vybraný formát:Zobrazený záznam od 89790 až 89800 z celkom 90520 záznamov.
Posledná aktualizácia: 2026-07-05 (Počet položiek: 2 286 116)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.