Zobrazenie ceny: bez DPH
Zobrazovaná mena:
Zoradiť podľa:

Upresniť výber pre "BS - Národné - Všetky - strana 8980" podľa:    


BS EN ISO 9363-1:1999 NEPLATNÁ

Optics and optical instruments. Contact lenses. Determination of cytotoxicity of contact lens material. Agar overlay test and growth inhibition test.
(Optika a optické přístroje - Kontaktní čočky - Stanovení cytotoxicity materiálů kontaktních čoček - Část 1: Zkouška na agarové živné půdě a zkouška inhibice růstu.)

NEPLATNÁ vydaná dňa 15.12.1999

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
160.70


SKLADOM
BS 9363:1972 NEPLATNÁ

Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: high power transistors for switching applications.

NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1982

Vybraný formát:
Anglicky -
Tlačené (262.50 EUR)


Zobraziť všetky technické informácie
262.50


SKLADOM
BS 9364:1973 NEPLATNÁ

Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: switching transistors.

NEPLATNÁ vydaná dňa 1.1.1982

Vybraný formát:
Anglicky -
Tlačené (262.50 EUR)


Zobraziť všetky technické informácie
262.50


SKLADOM
BS 9364N007ANDN009:1978 NEPLATNÁ

Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.

NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
160.70


SKLADOM
BS 9364N008ANDN010:1978 NEPLATNÁ

Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.

NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
160.70


SKLADOM
BS 9364N011:1978 NEPLATNÁ

Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.

NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
160.70


SKLADOM
BS 9364N012:1978 NEPLATNÁ

Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.

NEPLATNÁ vydaná dňa 15.7.1978

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
160.70


SKLADOM
BS 9364N013:1979 NEPLATNÁ

Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 25 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.

NEPLATNÁ vydaná dňa 15.1.1979

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
160.70


SKLADOM
BS 9364N016:1979 NEPLATNÁ

Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.

NEPLATNÁ vydaná dňa 15.1.1979

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
160.70


SKLADOM
BS 9364N017:1979 NEPLATNÁ

Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.

NEPLATNÁ vydaná dňa 15.1.1979

Vybraný formát:

Zobraziť všetky technické informácie
160.70


SKLADOM

Zobrazený záznam od 89790 až 89800 z celkom 90520 záznamov.


Potrebujete pomoc?


Cookies Cookies

Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.

Súhlas môžete odmietnuť tu.

Tu máte možnosť prispôsobiť si nastavenia súborov cookies v súlade s vlastnými preferenciami.

Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov.