Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-27: Graphene-related products - Field-effect mobility for layers of two-dimensional materials: field-effect transistor method
NORMA vydaná dňa 16.12.2025
Označenie normy: IEC/TS 62607-6-27-ed.1.0
Dátum vydania normy: 16.12.2025
Kód tovaru: NS-1253470
Počet strán: 19
Približná hmotnosť: 57 g (0.13 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
IEC TS 62607-6-27:2025, which is a Technical Specification, establishes a standardized method to determine the key control characteristic • field-effect mobility for semiconducting two-dimensional (2D) materials by the • field-effect transistor (FET) method. For two-dimensional semiconducting materials, the field-effect mobility is determined by fabricating a FET test structure and measuring the transconductance in a four-terminal configuration. - This method can be applied to layers of semiconducting two-dimensional materials, such as graphene, black phosphorus (BP), molybdenum disulfide (MoS2), molybdenum ditelluride (MoTe2), tungsten disulfide (WS2), and tungsten diselenide (WSe2). - The four-terminal configuration improves accuracy by eliminating parasitic effects from the probe contacts and cables
Chcete mať istotu o platnosti využívaných predpisov?
Ponúkame Vám riešenie, aby ste mohli používať stále platné (aktuálne) legislatívne predpisy
Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.
Posledná aktualizácia: 2026-01-01 (Počet položiek: 2 253 680)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.