Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 12-3: 2D material-related products - Schottky barrier heights of 2D material-based field-effect transistors: temperature-dependent current–voltage measurements
NORMA vydaná dňa 9.6.2026
Označenie normy: IEC/TS 62607-12-3-ed.1.0
Dátum vydania normy: 9.6.2026
Kód tovaru: NS-1273803
Počet strán: 18
Približná hmotnosť: 54 g (0.12 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
IEC TS 62607-12-3:2026, which is a Technical Specification, establishes a standardized method to determine the key control characteristic • Schottky barrier height (SBH) from the temperature-dependent current–voltage characterization results obtained from two-dimensional (2D) material-based electronic devices. This document • defines the Schottky barrier formed from the interface between a 2D material and a metal; • specifies a 2D device sample for the measurement of the Schottky barrier; • specifies the measurement procedure for the Schottky barrier formed at the interface within 2D devices; • provides proper mathematical formulas used to extract the Schottky barrier formed from 2D-materials-based devices; • provides relevant case studies; and • provides relevant references
Chcete mať istotu, že používate len platné technické normy?
Ponúkame Vám riešenie, ktoré Vám zaistí mesačný prehľad o aktuálnosti noriem, ktoré používate.
Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.
Posledná aktualizácia: 2026-06-16 (Počet položiek: 2 283 261)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.