Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
IEC 63505-ed.1.0
Guidelines for measuring the threshold voltage (VT) of SiC MOSFETs
NORMA vydaná dňa 8.4.2025
Informácie o norme:
Označenie normy: IEC 63505-ed.1.0
Dátum vydania normy: 8.4.2025
Kód tovaru: NS-1218052
Počet strán: 12
Približná hmotnosť: 36 g (0.08 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
Kategórie - podobné normy:
Anotácia textu normy IEC 63505-ed.1.0 :
IEC 63505:2025 gives guidance on VT measurement methods and conditioning prior to VT testing in SiC power MOSFETs to reduce or eliminate the effect of the aforementioned hysteresis. The method is applicable for PBTI testing, NBTI and threshold voltage changes caused by switching events are excluded from the scope. SiC MOSFETs have threshold voltage hysteresis caused by transient trap effects, which impacts the evaluation of the actual the VT shift caused by stress tests such as bias temperature instabilities (BTI).
Odporúčame:
Aktualizácia technických noriem
Chcete mať istotu, že používate len platné technické normy?
Ponúkame Vám riešenie, ktoré Vám zaistí mesačný prehľad o aktuálnosti noriem, ktoré používate.
Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.
