Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
IEC 63275-2-ed.1.0
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
NORMA vydaná dňa 11.5.2022
Informácie o norme:
Označenie normy: IEC 63275-2-ed.1.0
Dátum vydania normy: 11.5.2022
Kód tovaru: NS-1057218
Počet strán: 20
Približná hmotnosť: 60 g (0.13 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
Kategórie - podobné normy:
Anotácia textu normy IEC 63275-2-ed.1.0 :
IEC 63275-2:2022 gives the test method and a procedure using this method to evaluate the on-state voltage change, on-state resistance change and reverse drain voltage change of silicon carbide (SiC) power MOSFET devices due to body diode operation. This test is not generally requested for Si power transistors. L’IEC 63275-2:2022 donne la methode d’essai et une procedure utilisant cette methode pour evaluer la derive de la tension a l’etat passant, la derive de la resistance a l’etat passant et la variation de tension de drain inverse des dispositifs MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) en raison du fonctionnement de la diode intrinseque. Cet essai n’est generalement pas demande pour les transistors de puissance en Si.
Doporučujeme:
