Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
IEC 63275-1-ed.1.0
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability
NORMA vydaná dňa 21.4.2022
Informácie o norme:
Označenie normy: IEC 63275-1-ed.1.0
Dátum vydania normy: 21.4.2022
Kód tovaru: NS-1055629
Počet strán: 25
Približná hmotnosť: 75 g (0.17 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
Kategórie - podobné normy:
Anotácia textu normy IEC 63275-1-ed.1.0 :
IEC 63275-1:2022 gives a test method to evaluate gate threshold voltage shift of silicon carbide (SiC) power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) using room temperature readout after applying continuous positive gate-source voltage stress at elevated temperature. The proposed method accepts a certain amount of recovery by allowing large delay times between stress and measurement (up to 10 h). L’IEC 63275-1:2022 donne une methode d’essai pour evaluer le decalage de la tension de seuil de grille des transistors a effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs (MOSFET) de puissance en carbure de silicium (SiC) en utilisant un releve a temperature ambiante apres avoir applique une contrainte de tension grille-source positive continue a temperature elevee. La methode proposee accepte une certaine quantite de recouvrement en autorisant des decalages importants entre la contrainte et la mesure (jusqu’a 10 h).
Doporučujeme:
