Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
IEC 63229-ed.1.0
Semiconductor devices - Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate
NORMA vydaná dňa 7.4.2021
Informácie o norme:
Označenie normy: IEC 63229-ed.1.0
Dátum vydania normy: 7.4.2021
Kód tovaru: NS-1022112
Počet strán: 21
Približná hmotnosť: 63 g (0.14 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
Kategórie - podobné normy:
Anotácia textu normy IEC 63229-ed.1.0 :
IEC 63229:2021(E) gives guidelines for the definition and classification of defects in GaN epitaxial film grown on SiC substrate. They are identified and described on the basis of examples, mainly by schematic illustrations, optical microscope images, and transmission electron microscope images for these defects. This document covers only defects in as-grown GaN epitaxial film on SiC substrate and does not include defects caused by subsequent processes.
Doporučujeme:
