Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
IEC 63068-5-ed.1.0
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 5: Test method for defects using X-ray topography
NORMA vydaná dňa 6.10.2026
Informácie o norme:
Označenie normy: IEC 63068-5-ed.1.0
Dátum vydania normy: 6.10.2026
Kód tovaru: NS-1287031
Počet strán: 31
Približná hmotnosť: 93 g (0.21 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
Kategórie - podobné normy:
Anotácia textu normy IEC 63068-5-ed.1.0 :
IEC 63068-5:2026 provides definitions and guidance in use of X-ray topography inspection system for detecting defects in silicon carbide (SiC) homoepitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies X-ray topographic images to enable the detection and categorization of defects in SiC homoepitaxial wafers.
Doporučujeme:
