Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
IEC 63068-3-ed.1.0
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence
NORMA vydaná dňa 13.7.2020
Informácie o norme:
Označenie normy: IEC 63068-3-ed.1.0
Dátum vydania normy: 13.7.2020
Kód tovaru: NS-998077
Počet strán: 51
Približná hmotnosť: 153 g (0.34 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
Kategórie - podobné normy:
Anotácia textu normy IEC 63068-3-ed.1.0 :
IEC 63068-3:2020 provides definitions and guidance in use of photoluminescence for detecting as-grown defects in commercially available 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies photoluminescence images and emission spectra to enable the detection and categorization of the defects in SiC homoepitaxial wafers. L’IEC 63068-3:2020 decrit les definitions et les recommandations relatives a l’utilisation de la photoluminescence pour la detection de defauts bruts au sein de plaquettes homoepitaxiales en carbure de silicium (4H-SiC) disponibles dans le commerce. De plus, le present document donne des exemples d’images de photoluminescence et de spectres d’emission, permettant la detection et la categorisation des defauts au sein de plaquettes homoepitaxiales en SiC.
Doporučujeme:
