Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
IEC 63068-2-ed.1.0
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection
NORMA vydaná dňa 30.1.2019
Informácie o norme:
Označenie normy: IEC 63068-2-ed.1.0
Dátum vydania normy: 30.1.2019
Kód tovaru: NS-935987
Počet strán: 25
Približná hmotnosť: 75 g (0.17 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
Kategórie - podobné normy:
Anotácia textu normy IEC 63068-2-ed.1.0 :
IEC 63068-2:2019(E) provides definitions and guidance in use of optical inspection for detecting as-grown defects in commercially available 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies optical images to enable the detection and categorization of the defects for SiC homoepitaxial wafers. This document deals with a non-destructive test method for the defects so that destructive methods such as preferential etching are out of scope in this document.
Odporúčame:
Aktualizácia technických noriem
Chcete mať istotu, že používate len platné technické normy?
Ponúkame Vám riešenie, ktoré Vám zaistí mesačný prehľad o aktuálnosti noriem, ktoré používate.
Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.
