Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection
NORMA vydaná dňa 30.1.2019
Označenie normy: IEC 63068-2-ed.1.0
Dátum vydania normy: 30.1.2019
Kód tovaru: NS-935987
Počet strán: 25
Približná hmotnosť: 75 g (0.17 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
IEC 63068-2:2019(E) provides definitions and guidance in use of optical inspection for detecting as-grown defects in commercially available 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies optical images to enable the detection and categorization of the defects for SiC homoepitaxial wafers. This document deals with a non-destructive test method for the defects so that destructive methods such as preferential etching are out of scope in this document.
Poskytovanie aktuálnych informácií o legislatívnych predpisoch vyhlásených v Zbierke zákonov od roku 1945.
Aktualizácia 2x v mesiaci !
Chcete vedieť viac informácii ? Pozrite sa na túto stránku.
Posledná aktualizácia: 2024-07-31 (Počet položiek: 2 340 060)
© Copyright 2024 NORMSERVIS s.r.o.