Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
IEC 63068-1-ed.1.0
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects
NORMA vydaná dňa 30.1.2019
Informácie o norme:
Označenie normy: IEC 63068-1-ed.1.0
Dátum vydania normy: 30.1.2019
Kód tovaru: NS-935986
Počet strán: 23
Približná hmotnosť: 69 g (0.15 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
Kategórie - podobné normy:
Anotácia textu normy IEC 63068-1-ed.1.0 :
IEC 63068-1:2019(E) gives a classification of defects in as-grown 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial layers. The defects are classified on the basis of their crystallographic structures and recognized by non-destructive detection methods including bright-field OM (optical microscopy), PL (photoluminescence), and XRT (X-ray topography) images.
Doporučujeme:
