Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
Automaticky preložený názov:
Polovodičové zariadenia - mobilné iónové skúšky pre metal-MOS tranzistorov riadených poľom (MOSFETs)
NORMA vydaná dňa 22.4.2010
Označenie normy: IEC 62417-ed.1.0
Dátum vydania normy: 22.4.2010
Kód tovaru: NS-414600
Počet strán: 16
Približná hmotnosť: 48 g (0.11 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
IEC 62417:2010 provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor field effect transistors. It is applicable to both active and parasitic field effect transistors. The mobile charge can cause degradation of microelectronic devices, e.g. by shifting the threshold voltage of MOSFETs or by inversion of the base in bipolar transistors. La CEI 62417:2010 fournit une procedure dessai au niveau de la plaquette pour determiner la quantite de charge positive mobile a linterieur des couches doxyde dans les transistors a semiconducteur a oxyde metallique a effet de champ. Elle sapplique aux deux transistors a effets parasites et effets actifs. La charge mobile peut causer des degradations des dispositifs microelectroniques, par exemple en decalant la tension de seuil des MOSFETs ou par inversion de la base dans les transistors bipolaires.
Posledná aktualizácia: 2024-09-11 (Počet položiek: 2 346 290)
© Copyright 2024 NORMSERVIS s.r.o.