Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET
NORMA vydaná dňa 15.7.2020
Označenie normy: IEC 62373-1-ed.1.0
Dátum vydania normy: 15.7.2020
Kód tovaru: NS-1000980
Počet strán: 44
Približná hmotnosť: 132 g (0.29 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
IEC 62373-1:2020 provides the measurement procedure for a fast BTI (bias temperature instability) test of silicon based metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). This document also defines the terms pertaining to the conventional BTI test method. L’IEC 62373-1:2020 fournit la methode de mesure pour un essai rapide de BTI (instabilite en temperature sous polarisation) des transistors a effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs (MOSFET) a base de silicium. Le present document definit egalement les termes relatifs a la methode d’essai de BTI conventionnelle.
Chcete mať istotu o platnosti využívaných predpisov?
Ponúkame Vám riešenie, aby ste mohli používať stále platné (aktuálne) legislatívne predpisy
Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.
Posledná aktualizácia: 2024-09-25 (Počet položiek: 2 350 354)
© Copyright 2024 NORMSERVIS s.r.o.