Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
IEC 60749-38-ed.1.0
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 38: Soft error test method for semiconductor devices with memory
Automaticky preložený názov:
Polovodičové súčiastky - Mechanické a klimatické skúšky - Časť 38: Soft error skúšobné metódy pre polovodičové zariadenia s pamäťou
NORMA vydaná dňa 12.2.2008
Informácie o norme:
Označenie normy: IEC 60749-38-ed.1.0
Dátum vydania normy: 12.2.2008
Kód tovaru: NS-411412
Počet strán: 26
Približná hmotnosť: 78 g (0.17 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
Kategórie - podobné normy:
Anotácia textu normy IEC 60749-38-ed.1.0 :
This part of IEC 60749 establishes a procedure for measuring the soft error susceptibility of semiconductor devices with memory when subjected to energetic particles such as alpha radiation. Two tests are described; an accelerated test using an alpha radiation source and an (unaccelerated) real-time system test where any errors are generated under conditions of naturally occurring radiation which can be alpha or other radiation such as neutron. To completely characterize the soft error capability of an integrated circuit with memory, the device must be tested for broad high energy spectrum and thermal neutrons using additional test methods. This test method may be applied to any type of integrated circuit with memory device. La presente partie de la CEI 60749 etablit une procedure de mesure de la predisposition aux erreurs logicielles des dispositifs a semiconducteurs a memoire lorsquils sont soumis a des particules energetiques telles que le rayonnement alpha. Deux essais sont decrits: un essai accelere utilisant une source de rayonnement alpha et un essai de systeme en temps reel (non accelere) dans lequel toutes les erreurs sont generees dans des conditions de rayonnement se produisant naturellement: il peut sagir du rayonnement alpha ou de tout autre rayonnement, neutronique par exemple. Pour une caracterisation complete de la capacite derreur logicielle dun circuit integre a memoire, il faut que le dispositif soit soumis a un essai pour le spectre large a haute energie et les neutrons thermiques en utilisant des methodes dessais complementaires. Cette methode dessai peut etre appliquee a tout type de circuit integre qui possede un dispositif de memoire.
Odporúčame:
Aktualizácia zákonov
Chcete mať istotu o platnosti využívaných predpisov?
Ponúkame Vám riešenie, aby ste mohli používať stále platné (aktuálne) legislatívne predpisy
Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.
