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IEC 60749-28-ed.2.0
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - device level
NORMA vydaná dňa 1.3.2022
Informácie o norme:
Označenie normy: IEC 60749-28-ed.2.0
Dátum vydania normy: 1.3.2022
Kód tovaru: NS-1051344
Počet strán: 98
Približná hmotnosť: 325 g (0.72 libier)
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kategória: Technické normy IEC
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Anotácia textu normy IEC 60749-28-ed.2.0 :
IEC 60749-28:2022 establishes the procedure for testing, evaluating, and classifying devices and microcircuits according to their susceptibility (sensitivity) to damage or degradation by exposure to a defined field-induced charged device model (CDM) electrostatic discharge (ESD). All packaged semiconductor devices, thin film circuits, surface acoustic wave (SAW) devices, opto-electronic devices, hybrid integrated circuits (HICs), and multi-chip modules (MCMs) containing any of these devices are to be evaluated according to this document. To perform the tests, the devices are assembled into a package similar to that expected in the final application. This CDM document does not apply to socketed discharge model testers. This document describes the field-induced (FI) method. An alternative, the direct contact (DC) method, is described in Annex J. The purpose of this document is to establish a test method that will replicate CDM failures and provide reliable, repeatable CDM ESD test results from tester to tester, regardless of device type. Repeatable data will allow accurate classifications and comparisons of CDM ESD sensitivity levels. This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition: - a new subclause and annex relating to the problems associated with CDM testing of integrated circuits and discrete semiconductors in very small packages; - changes to clarify cleaning of devices and testers. L’IEC 60749-28:2022 etablit la procedure d’essai, d’evaluation et de classification des dispositifs et des microcircuits selon leur susceptibilite (sensibilite) au dommage ou leur degradation par suite de leur exposition a une decharge electrostatique (DES) sur un modele defini de dispositif charge (CDM) induit par champ. Tous les dispositifs a semiconducteurs, circuits a couches minces, dispositifs a ondes acoustiques de surface (OAS), dispositifs optoelectroniques, circuits integres hybrides (HIC - hybrid integrated circuits) et modules multipuces (MCM - multi-chip modules) en boitiers qui contiennent l’un de ces dispositifs doivent etre evalues selon le present document. Pour effectuer les essais, les dispositifs sont assembles dans un boitier similaire a celui prevu dans l’application finale. Le present document CDM ne s’applique pas aux appareils d’essai de modeles de decharge avec support. Il decrit en revanche la methode induite par champ (FI - field-induced). Une methode alternative, la methode par contact direct (DC - direct contact), est decrite a l’Annexe J. L’objet du present document est d’etablir une methode dessai qui reproduit les defaillances du CDM et de fournir des resultats dessais de DES de CDM fiables et reproductibles dun appareil dessai a un autre, independamment du type de dispositif. Des donnees reproductibles permettent des classifications et des comparaisons exactes des niveaux de sensibilite de DES de CDM. Cette edition contient les modifications techniques majeures suivantes par rapport a ledition precedente: - ajout d’un nouveau paragraphe et dune nouvelle annexe relatifs aux problemes associes a l’essai de CDM des circuits integres et des semiconducteurs discrets dans de tres petits boitiers; - introduction de modifications afin de clarifier le nettoyage des dispositifs et des appareils d’essai.
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