Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) based power conversion devices
NORMA vydaná dňa 28.8.2026
Označenie normy: GB/T 48170-2026
Poznámka: K dispozici od: březen 2027
Dátum vydania normy: 28.8.2026
Kód tovaru: NS-1283967
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB
Posledná aktualizácia: 2026-10-09 (Počet položiek: 2 304 581)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.