Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
GB/T 48164.2-2026
Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
NORMA vydaná dňa 28.8.2026
| Jazyk | |
| Prevedenie |
|
| Dostupnosť | Nie je na sklade |
| Cena | NAOTÁZKU bez DPH |
| NA OTÁZKU |
Informácie o norme:
Označenie normy: GB/T 48164.2-2026
Poznámka: K dispozici od: březen 2027
Dátum vydania normy: 28.8.2026
Kód tovaru: NS-1283961
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB
Kategórie - podobné normy:
Doporučujeme:
