Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
NORMA vydaná dňa 28.12.2023
Označenie normy: GB/T 43493.2-2023
Dátum vydania normy: 28.12.2023
Kód tovaru: NS-1164462
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB
Chcete mať istotu o platnosti využívaných predpisov?
Ponúkame Vám riešenie, aby ste mohli používať stále platné (aktuálne) legislatívne predpisy
Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.
Posledná aktualizácia: 2026-08-19 (Počet položiek: 2 298 207)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.