Cookies
Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
GB/T 14863-2013
Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
Automaticky preložený názov:
Spôsob čisté hustotu dopravcu v kremíku epitaxných vrstiev napätie-kapacitné bránou a ungated diódami
NORMA vydaná dňa 31.12.2013
Informácie o norme:
Označenie normy: GB/T 14863-2013
Poznámka: NEPLATNÁ
Dátum vydania normy: 31.12.2013
Kód tovaru: NS-349395
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB
Doporučujeme:
