Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
NORMA vydaná dňa 10.1.2011
Označenie normy: GB/T 14847-2010
Dátum vydania normy: 10.1.2011
Kód tovaru: NS-865732
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB
Posledná aktualizácia: 2026-04-19 (Počet položiek: 2 274 482)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.