Potrebujeme váš súhlas na využitie jednotlivých dát, aby sa vám okrem iného mohli ukazovať informácie týkajúce sa vašich záujmov. Súhlas udelíte kliknutím na tlačidlo „OK“.
Zkouška stability tranzistorů MOSFET při namáhání napětím a teplotou. (Norma přebírající anglický originál, vlastní text je součástí výtisku).
Automaticky preložený názov:
Skúška stability tranzistorov MOSFET pri namáhaní napätím a teplotou. (Norma na priame anglický originál, vlastný text je súčasťou výtlačku).
NORMA vydaná dňa 1.3.2007
Označenie normy: ČSN EN 62373
Rozlišovací znak: 358767
Katalógové číslo: 78056
Dátum vydania normy: 1.3.2007
Kód tovaru: NS-162085
Počet strán: 32
Približná hmotnosť: 96 g (0.21 libier)
Krajina: Česká technická norma
Kategória: Technické normy ČSN
Tato norma uvádí zkušební postupy pro zkoušení stability tranzistorů řízených polem (MOSFET) při kombinovaném namáhání napětím a teplotou.
Při dlouhodobém namáhání zvýšenou teplotou a napětím G-S dochází k degradaci MOSFET, klesá saturační proud a vzrůstá absolutní hodnota prahového napětí.
Zaváděná IEC 62373 představuje celkem 27 stran anglického a francouzského textu.
NEPLATNÁ
1.7.1998
NEPLATNÁ
1.12.1997
1.12.2010
1.12.2010
Chcete mať istotu o platnosti využívaných predpisov?
Ponúkame Vám riešenie, aby ste mohli používať stále platné (aktuálne) legislatívne predpisy
Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.
Posledná aktualizácia: 2025-05-08 (Počet položiek: 2 198 869)
© Copyright 2025 NORMSERVIS s.r.o.