ASTM F1238-95(2011)

Standard Specification for Refractory Silicide Sputtering Targets for Microelectronic Applications

Automaticky preložené:

Štandardné špecifikácie pre refraktérnej kremičitan rozprašovacích pre mikroelektronických aplikácií



NORMA vydaná dňa 1.6.2011


Jazyk
Prevedenie
DostupnosťSKLADOM
Cena35.30 bez DPH
35.30

Informácie o norme:

Označenie normy: ASTM F1238-95(2011)
Dátum vydania normy: 1.6.2011
Počet strán: 3
Približná hmotnosť: 9 g (0.02 libier)
Krajina: Americká technická norma
Kategória: Technické normy ASTM

Kategórie - podobné normy:

Elektronky

Anotácia textu normy ASTM F1238-95(2011) :

This specification covers refractory silicide sputtering targets for use in microelectronic applications. Targets shall be classified by the following major constituents: molybdenum silicide, tantalum silicide, titanium silicide, and tungsten silicide. Target composition shall be stated as the atomic ratio of silicon to metal and shall conform to the prescribed maximum impurity level for: alkalis (potassium, lithium, sodium), refractory metals (molybdenum, tantalum, titanium, and tungsten), iron, other metals (aluminum, boron, calcium, cobalt, chromium, copper, magnesium, manganese, and nickel), carbon, and oxygen. Low alpha grade targets shall contain the prescribed maximum impurity level of uranium and thorium Dimensional and physical properties such as relative, actual, and theoretical densities are specified. The actual target density shall be determined by Archimedes principle or other acceptable techniques and the theoretical density shall be calculated from the given formula. The following chemical analytical methods shall be used: atomic absorption, combustion or infrared spectrometry, inert gas fusion, and alpha-emission rate analysis, depending on the impurity to be analyzed. There shall be no radial cracks, other cracks, or chips on the sputtering surface.


Keywords:
density, microelectronics, molybdenum disilicide, refractory silicides, sputtering, sputtering targets, tantalum disilicide, titanium disilicide, tungsten disilicide, Electrical conductors (semiconductors)--specifications, Electronic materials/applications--specifications, Metallic silicide, Molybdenum (electronic applications)--specifications, Polycaprolactone (PCL), Refractory silicide targets, Silicides, Tantalum (Ta)/tantalum alloys--specifications, Targets, Titanium silicide

Odporúčame:

Aktualizácia technických noriem

Chcete mať istotu, že používate len platné technické normy?
Ponúkame Vám riešenie, ktoré Vám zaistí mesačný prehľad o aktuálnosti noriem, ktoré používate.

Chcete vedieť viac informácií ? Pozrite sa na túto stránku.


Tento web používa cookies. Ďalším prechádzaním tohto webu vyjadrujete súhlas s ich používaním. Viac informácií / Rozumiem