GB/T 48170-2026

Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) based power conversion devices

NORMA vydaná dňa 28.8.2026

Anglicky a čínsky -
Elektronické PDF (NA OTÁZKU)

Anglicky a čínsky -

Tlačené (NA OTÁZKU)

Informácie o norme:

Označenie normy: GB/T 48170-2026
Poznámka: K dispozici od: březen 2027
Dátum vydania normy: 28.8.2026
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB