GB/T 48164.1-2026

Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 1: Test method for bias temperature instability

NORMA vydaná dňa 28.8.2026

Anglicky a čínsky -
Elektronické PDF (NA OTÁZKU)

Anglicky a čínsky -

Tlačené (NA OTÁZKU)

Informácie o norme:

Označenie normy: GB/T 48164.1-2026
Poznámka: K dispozici od: březen 2027
Dátum vydania normy: 28.8.2026
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB