GB/T 45716-2025

Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)

NORMA vydaná dňa 30.5.2025

Anglicky a čínsky -
Elektronické PDF (NA OTÁZKU)

Anglicky a čínsky -

Tlačené (NA OTÁZKU)

The information about the standard:

Designation standards: GB/T 45716-2025
Note: K dispozici od: září 2025
Publication date standards: 30.5.2025
Country: Chinese technical standard
Kategória: Technické normy GB