
Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)
NORMA vydaná dňa 30.5.2025
Označenie normy: GB/T 45716-2025
Dátum vydania normy: 30.5.2025
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB