
Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
NORMA vydaná dňa 30.4.2026
Označenie normy: GB/T 45716.1-2026
Dátum vydania normy: 30.4.2026
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB