
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence
NORMA vydaná dňa 28.12.2023
Označenie normy: GB/T 43493.3-2023
Dátum vydania normy: 28.12.2023
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB