
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
NORMA vydaná dňa 31.12.2012
Označenie normy: GB/T 29332-2012
Dátum vydania normy: 31.12.2012
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB