GB/T 14863-2013

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

NORMA vydaná dňa 31.12.2013

Anglicky a čínsky -
Elektronické PDF (604.30 EUR)

Informácie o norme:

Označenie normy: GB/T 14863-2013
Poznámka: NEPLATNÁ
Dátum vydania normy: 31.12.2013
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB