
Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
NORMA vydaná dňa 30.12.1993
Označenie normy: GB/T 14863-1993
Poznámka: NEPLATNÁ
Dátum vydania normy: 30.12.1993
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB