
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
NORMA vydaná dňa 24.12.1993
Označenie normy: GB/T 14847-1993
Poznámka: NEPLATNÁ
Dátum vydania normy: 24.12.1993
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB