
Gallium arsenide wafers by liquid phase epitaxy for Hall and Gunn devices
NORMA vydaná dňa 1.1.1989
Označenie normy: GB 11095-1989
Poznámka: NEPLATNÁ
Dátum vydania normy: 1.1.1989
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB