
Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS142
NORMA vydaná dňa 1.1.1988
Označenie normy: GB 10276-1988
Poznámka: NEPLATNÁ
Dátum vydania normy: 1.1.1988
Krajina: Čínska technická norma
Kategória: Technické normy GB