ASTM F996-98(2003)

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

NORMA vydaná dňa 10.5.1998

Anglicky -
PDF - okamžité stiahnutie (70.50 EUR)

Anglicky -

Tlačené (70.50 EUR)

Informácie o norme:

Označenie normy: ASTM F996-98(2003)
Poznámka: NEPLATNÁ
Dátum vydania normy: 10.5.1998
Počet strán: 7
Približná hmotnosť: 21 g (0.05 libier)
Krajina: Americká technická norma
Kategória: Technické normy ASTM

Anotácia textu normy ASTM F996-98(2003) :

Keywords:
c/v characteristics, current-voltage characteristics, interface states, ionizing radiation, MOSFET, oxide-trapped holes, threshold voltage shift, trapped holes