ASTM F978-90(1996)e1

Standard Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniques (Includes all amendments And changes 3/2/2021).

NORMA vydaná dňa 10.1.2001

Anglicky -
PDF - okamžité stiahnutie (70.80 EUR)

Anglicky -

Tlačené (70.80 EUR)

Informácie o norme:

Označenie normy: ASTM F978-90(1996)e1
Poznámka: NEPLATNÁ
Dátum vydania normy: 10.1.2001
Počet strán: 8
Približná hmotnosť: 24 g (0.05 libier)
Krajina: Americká technická norma
Kategória: Technické normy ASTM

Anotácia textu normy ASTM F978-90(1996)e1 :

Keywords:
activation energy, deep levels, DLTS, semiconductor silicon, trap density, transient capacitance, ICS Number Code 29.045 (Semiconducting materials)