Standard Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer (Withdrawn 2003)
NORMA vydaná dňa 1.1.2000
Označenie normy: ASTM F95-89(2000)
Poznámka: NEPLATNÁ
Dátum vydania normy: 1.1.2000
Počet strán: 7
Približná hmotnosť: 21 g (0.05 libier)
Krajina: Americká technická norma
Kategória: Technické normy ASTM
Keywords:
epi, epi thickness, epitaxial layer, FTIR, index of refraction, IR, layer thickness, spectrophotometer, ICS Number Code 29.045 (Semiconducting materials)